半導(dǎo)體制冷片作為在我們生活中需要場(chǎng)合當(dāng)中使用的儀器，想必大家對(duì)半導(dǎo)體制冷片一定不陌生吧，那么你知道半導(dǎo)體制冷片的能帶結(jié)構(gòu)上的結(jié)構(gòu)特性了解多少呢?下面就讓杭州半導(dǎo)體制冷片的小編為你介紹下!

　　晶體中的大量原子聚集在一起，原子之間的距離非常近。以硅為例，每立方厘米有5×1022個(gè)原子，原子間的較短距離為0.235納米。遠(yuǎn)離原子核的殼層的重疊使電子不再局限于一個(gè)原子，并可能轉(zhuǎn)移到相鄰原子的類似殼層或從相鄰原子移動(dòng)到更遠(yuǎn)的原子殼層。這種現(xiàn)象被稱為電子共享。因此，處于相同能態(tài)的電子有輕微的能量差異，相應(yīng)的能級(jí)擴(kuò)展到能帶。

　　禁帶:允許被電子占據(jù)的帶稱為允許帶，允許帶之間的范圍不允許被電子占據(jù)，稱為禁帶。原子殼層內(nèi)層的允許帶總是先被電子占據(jù)，然后以較高的能量占據(jù)外層的允許帶。被電子占據(jù)的允許帶被稱為全帶，在每個(gè)能級(jí)沒有電子的帶被稱為空帶。

　　價(jià)帶:原子中外層的電子稱為價(jià)電子和價(jià)帶。

　　導(dǎo)帶:價(jià)帶以上低能量的允許帶稱為導(dǎo)帶。

　　導(dǎo)帶的較低能級(jí)用Ec表示，價(jià)帶的較高能級(jí)用Ev表示，Ec和Ev之間的能級(jí)區(qū)間稱為禁帶Eg。

　　半導(dǎo)體的傳導(dǎo)是通過帶電粒子的運(yùn)動(dòng)(形成電流)來實(shí)現(xiàn)的，而這種電流的載體稱為載流子。半導(dǎo)體中的載流子是帶負(fù)電荷的電子和帶正電荷的空穴。對(duì)于不同的材料，帶隙寬度不同，導(dǎo)帶中的電子數(shù)也不同，因此具有不同的電導(dǎo)率。例如，絕緣材料二氧化硅的Eg約為5.2eV，導(dǎo)帶中的電子很少，所以導(dǎo)電性不好，電阻率大于1012ω·cm。半導(dǎo)體硅的Eg約為1.1eV，導(dǎo)帶中有一定數(shù)量的電子，因此具有一定的導(dǎo)電性，電阻率為10-3—1012ω·cm。金屬的導(dǎo)帶與價(jià)帶在一定程度上重合，Eg=0，價(jià)電子可以在金屬中自由移動(dòng)，所以導(dǎo)電性好，電阻率為10-6—10-3ω·cm。